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面向USB3.0的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
USB3.0端口標(biāo)準(zhǔn)是一個(gè)新型的標(biāo)準(zhǔn)，必須精心設(shè)計(jì)USB3.0鏈路，以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)系統(tǒng)級ESD防護(hù)性能，并且強(qiáng)制要求實(shí)現(xiàn)毫厘不差的信號完整性。為同時(shí)滿足這兩個(gè)要求，ESD防護(hù)器件必須具有卓越的ESD防護(hù)性能和很低的器件電容。
2011-02-01
USB3.0 ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)
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2011年消費(fèi)性電子裝置市場可望成長2.6%
根據(jù)IHS iSuppli發(fā)布的報(bào)告，今(2011)年全球消費(fèi)性電子裝置出貨預(yù)測可望達(dá)到16億臺，比去年的15億6000萬臺成長2.6%，在網(wǎng)絡(luò)家庭中具有實(shí)用性，而不見得是技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品特別被看好；2012年度的市場預(yù)測將成長4.4%。比較之下，去年這個(gè)市場成長了4%；今年的成長雖比不上去年，但在現(xiàn)有經(jīng)濟(jì)情況下，這...
2011-02-01
消費(fèi)性電子 容易使用 網(wǎng)絡(luò)家庭
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2011年平板競爭變得更加熱鬧
在美國拉斯維加斯舉辦的2011年消費(fèi)電子展(CES)上，來自各高科技領(lǐng)域的公司展示了多種新款媒體平板，都想從iPad手中搶得一塊市場。目前iPad的市場份額接近90%。
2011-02-01
iPad 平板 CES
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一種低壓程控電源的設(shè)計(jì)
在應(yīng)用直流疊加法檢測XLPE電纜絕緣電阻的方法中[1]，為了抵消測量中干擾的影響，要求在測試過程中能變換電源的極性，而且在某段過程中，要求能完全切斷電源。我們利用電力電子器件，實(shí)現(xiàn)了一種在測量過程中可控的低壓電源，為實(shí)現(xiàn)測量的全面自動(dòng)化鋪平了道路。
2011-02-01
程控電源 MOSFET 過流保護(hù) 過壓保護(hù)
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平板商用顯示市場規(guī)模將破百億
商用顯示正成為電子信息產(chǎn)業(yè)中具有重要戰(zhàn)略意義的領(lǐng)域。奧維咨詢（AVC）最新報(bào)告顯示，2010年商用顯示總體市場規(guī)模將突破350億元。奧維咨詢（AVC）預(yù)測，未來5年，中國B2B顯示總體市場CAGR有望達(dá)到25%.其中數(shù)字標(biāo)牌系統(tǒng)、LED顯示屏系統(tǒng)、大屏幕拼接墻系統(tǒng)、酒店電視系統(tǒng)是最主要應(yīng)用，占總體市場90%...
2011-01-31
平板 顯示 成長
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2011年平板競爭變得更加熱鬧
在2011年CES上走一走，就能明顯感覺到平板時(shí)代已撲面而來。展會上展出的新款平板電腦不計(jì)其數(shù)。考慮到iPad的威力和它在市場中的統(tǒng)治地位，IHS iSuppli公司的研究顯示，2010年蘋果占有87.0%的市場份額……
2011-01-30
平板電腦 平板 競爭 組合 設(shè)計(jì) 選擇 android
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富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜
富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計(jì)劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上公開了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導(dǎo)電薄膜 觸摸面板
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據(jù)IHS iSuppli公司預(yù)測，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預(yù)計(jì)2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達(dá)到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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