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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負載 功放 便攜電子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負載 功放 便攜電子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負載 功放 便攜電子 Vishay
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全球太陽能設備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機
近年，隨著新能源概念的逐漸普及，太陽能設備制造業(yè)成為增長最快的產(chǎn)業(yè)之一。歐洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會預計，在２００８年至２０１０年之間，僅硅晶制造業(yè)的投資就可能超過４１億歐元。下游產(chǎn)業(yè)的情況也類似，去年全球太陽能電池和太陽能板制造業(yè)的投入超過１６億歐元。
2009-08-18
太陽能 產(chǎn)能過剩 危機
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全球太陽能設備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機
近年，隨著新能源概念的逐漸普及，太陽能設備制造業(yè)成為增長最快的產(chǎn)業(yè)之一。歐洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會預計，在２００８年至２０１０年之間，僅硅晶制造業(yè)的投資就可能超過４１億歐元。下游產(chǎn)業(yè)的情況也類似，去年全球太陽能電池和太陽能板制造業(yè)的投入超過１６億歐元。
2009-08-18
太陽能 產(chǎn)能過剩 危機
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全球太陽能設備制造業(yè)深陷產(chǎn)能過剩危機
近年，隨著新能源概念的逐漸普及，太陽能設備制造業(yè)成為增長最快的產(chǎn)業(yè)之一。歐洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會預計，在２００８年至２０１０年之間，僅硅晶制造業(yè)的投資就可能超過４１億歐元。下游產(chǎn)業(yè)的情況也類似，去年全球太陽能電池和太陽能板制造業(yè)的投入超過１６億歐元。
2009-08-18
太陽能 產(chǎn)能過剩 危機
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五家中國LED企業(yè)遭美國產(chǎn)權(quán)投訴
杭州仕蘭，廈門三安，江蘇伯樂達、佛山國星、深圳國冶星等多家中國大陸LED企業(yè)，在美國集體遭遇知識產(chǎn)權(quán)投訴
2009-08-18
led企業(yè) 知識產(chǎn)權(quán) 法律保護
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五家中國LED企業(yè)遭美國產(chǎn)權(quán)投訴
杭州仕蘭，廈門三安，江蘇伯樂達、佛山國星、深圳國冶星等多家中國大陸LED企業(yè)，在美國集體遭遇知識產(chǎn)權(quán)投訴
2009-08-18
led企業(yè) 知識產(chǎn)權(quán) 法律保護
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五家中國LED企業(yè)遭美國產(chǎn)權(quán)投訴
杭州仕蘭，廈門三安，江蘇伯樂達、佛山國星、深圳國冶星等多家中國大陸LED企業(yè)，在美國集體遭遇知識產(chǎn)權(quán)投訴
2009-08-18
led企業(yè) 知識產(chǎn)權(quán) 法律保護
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