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中國將成為世界最大太陽能電池生產(chǎn)國
美國市場調(diào)查公司DisplaySearch發(fā)布預測稱，2009年太陽能電池單元的全球產(chǎn)能將比上年增長56％，達到17GW。從08年1月到09年7月，產(chǎn)能增加了11.4GW。該公司預測，今后到2013之前，太陽能電池單元的全球產(chǎn)能將以年平均49％的速度增長。
2009-08-21
DisplaySearch 太陽能電池 中國
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CDMA：在新的機遇與挑戰(zhàn)中前進
截至2008年12月，全球CDMA用戶總數(shù)已達4.65億， 107個EV-DORel.0商業(yè)網(wǎng)絡遍布全球；其中EV-DO Rev.A網(wǎng)絡達到62個，規(guī)模呈現(xiàn)新的發(fā)展。然而在中國，一直以來CDMA卻處于不溫不火的狀態(tài)
2009-08-21
CDMA 賽迪顧問
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CDMA：在新的機遇與挑戰(zhàn)中前進
截至2008年12月，全球CDMA用戶總數(shù)已達4.65億， 107個EV-DORel.0商業(yè)網(wǎng)絡遍布全球；其中EV-DO Rev.A網(wǎng)絡達到62個，規(guī)模呈現(xiàn)新的發(fā)展。然而在中國，一直以來CDMA卻處于不溫不火的狀態(tài)
2009-08-21
CDMA 賽迪顧問
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CDMA：在新的機遇與挑戰(zhàn)中前進
截至2008年12月，全球CDMA用戶總數(shù)已達4.65億， 107個EV-DORel.0商業(yè)網(wǎng)絡遍布全球；其中EV-DO Rev.A網(wǎng)絡達到62個，規(guī)模呈現(xiàn)新的發(fā)展。然而在中國，一直以來CDMA卻處于不溫不火的狀態(tài)
2009-08-21
CDMA 賽迪顧問
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移動通信卡：3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟的進一步轉型，移動通信技術得到迅猛發(fā)展，手機普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長，截止到2008年底，移動電話用戶數(shù)量已經(jīng)達到6.41億戶，與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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移動通信卡：3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟的進一步轉型，移動通信技術得到迅猛發(fā)展，手機普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長，截止到2008年底，移動電話用戶數(shù)量已經(jīng)達到6.41億戶，與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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移動通信卡：3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟的進一步轉型，移動通信技術得到迅猛發(fā)展，手機普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長，截止到2008年底，移動電話用戶數(shù)量已經(jīng)達到6.41億戶，與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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FDZ371PZ：飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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FDZ371PZ：飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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