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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術革命
GaN技術平臺開創(chuàng)行業(yè)先河,是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質外延技術,經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝,完全符合IR具備成本效益的硅制造設施,可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下,敝社以往的產品在裝載時,基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進行配線處理。然后,為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產品,可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導體產業(yè)來說,在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢,即半導體產業(yè)的發(fā)展主要是由消費者來推動的,消費者是真正的推動力?,F(xiàn)在半導體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設備,比如智能手機、運行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產品等。只有消費者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設備和有特色的產品,才能促...
2010-03-15
應用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術,是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2m?,顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術 導通電阻
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元件價格走勢更新,商品IC供應保持緊張
這是指在可預見的將來,庫存將保持精簡。許多供應商對于目前的庫存水平感到非常滿意,盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應鏈節(jié)點庫存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(EMS)提供商的庫存出現(xiàn)增長。
2010-03-12
元件 價格 走勢 IC供應 緊張
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iSuppli預計2010年全球半導體營收達2797億美元
據(jù)iSuppli公司預測,2010年全球半導體營業(yè)收入預計將達到2797億美元,雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%,但與2008年的2589億美元相比僅增長8%,而與2007年的2734億美元相比,增長率只有區(qū)區(qū)的2.3%。
2010-03-12
iSuppli 半導體 營業(yè)收入 反彈
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Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉換IC
由于采用全新的多周期調制模式,使得電源在空載條件下具有出色的輕載效率和低功耗,既可降低平均開關頻率,又可減小輸出紋波和音頻噪聲。因此,設計出的電源不僅可以輕松滿足包括ENERGY STAR?和歐盟委員會用能產品生態(tài)設計指令在內的要求嚴格的最新能效規(guī)范,同時還可維持穩(wěn)定的輸出電壓。使用TOPSw...
2010-03-11
Power Integrations TOPSwitch-JX 電源轉換 IC
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飛兆半導體推出帶USB/充電器檢測功能的便攜應用過電壓保護器件
FAN3988具備內置自動檢測功能,器件通過連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線,能夠感測是否連接USB充電器。此外,器件還通過監(jiān)控VBUS來感測過壓或者欠壓狀況。當達到過壓閾值時,F(xiàn)AN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設計的復雜性,并省去外部電路,節(jié)省了線路板空間。這款新型OVP器件是滿足...
2010-03-11
飛兆 USB/充電器 便攜 過電壓 保護器件
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從基礎到應用全面解析無鉛焊接工藝技術
在電子制作過程中,焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上,而且要求焊點必須牢固、圓滑,所以焊接技術的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛(Pb),是一種有毒的金屬,對人體有害。本次半月談我們將關注無鉛焊接工藝技術的行業(yè)現(xiàn)狀,無鉛焊接工具產品的創(chuàng)新,無鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎 無鉛焊接 焊接工藝 技術 測試工作坊
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