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降壓轉換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉換器的電流取樣電阻放置的三種位置,即輸入端、輸出端及續(xù)流管,同時詳細地說明了這三種位置各自的優(yōu)點及缺點,還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點電流模式的工作原理,以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關管導通電阻、低端同步開關管導通電阻,以及...
2009-10-26
降壓轉換器 峰值電流模式 谷點電流模式
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基于Buck變換器的LED驅(qū)動器反饋環(huán)路設計及測試
本文討論了基于Buck變換器的LED驅(qū)動器與常規(guī)的Buck變換器的設計差異,介紹了這種LED驅(qū)動器高端電流取樣和低端電流取樣各自的優(yōu)缺點,然后闡述了AOZ0181的工作特性,同時介紹了AOZ0181反饋環(huán)路的設計過程。最后,分析了不能直接測量Buck型LED驅(qū)動器增益裕量和相位裕量的原因,并給出了通過增加一個電...
2009-10-26
Buck變換器 LED 增益裕量 相位裕量 電壓跟隨器
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使用自鉗位MOSFET設計電動工具控制器
本文介紹了電動工具控制器的工作原理,詳細的分析了電動工具中MOSFET的功率損耗以及線路引線電感對MOSFET開關波形的影響,同時,介紹了自鉗位MOSFET的工作特性以及在設計電動工具驅(qū)動電路時應注意的問題,并給出了使用自鉗位MOSFET設計的電動工具控制器的工作波形和測試結果。
2009-10-26
電動工具 自鉗位MOSFET 驅(qū)動
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理解功率MOSFET的開關損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss,Coss,Crss及相對應的Qg,Qds和Qgs在開關過程中對開關損耗的影響?;谠诶硐霠顟B(tài)下,用工程簡化方式計算出MOSFET在開關過程中不同階段的開關損耗,并分析出Crss及相對應的Qgd對于MOSFET管的開關損耗起主導作用。然后,論述了在實際狀態(tài)下,Coss對開通和關斷過程...
2009-10-26
米勒電容 開關損耗 零電壓開關
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基于MOSFET內(nèi)部結構設計優(yōu)化的驅(qū)動電路
功率MOSFET具有開關速度快,導通電阻小等優(yōu)點,因此在開關電源,馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中,電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關注,尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結構去考慮驅(qū)動電路的設計,導致在實際的應用中,MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動電路
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電動車無刷電機超靜音控制器設計----基于高速A/D實現(xiàn)精準電流補償
本文根據(jù)直流永磁無刷電動機的轉矩特性,分析了在電機運行中產(chǎn)生脈動轉矩的原因,并針對換相電流引起轉矩脈動進行了優(yōu)化設計,在實際應用中取得了較好的效果。
2009-10-26
直流永磁無刷電機 轉矩脈動 電流補償
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帶有內(nèi)置ESD保護的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強模式MOSFET,帶有內(nèi)置的2kV ESD保護。它帶有兩個獨立的50V,280mA的MOSFET,在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導通電阻RDS(on)在50mA,1.8V時是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護
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CTLSH1-40M563 :Central Semiconductor推出低正向壓降整流器
Central Semiconductor推出功耗達500mW的低正向壓降整流器
2009-10-26
整流器 Central Semiconductor CTLSH1-40M563 TLM563
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LED產(chǎn)品“價高和寡” 中國LED產(chǎn)業(yè)正蹣跚起步
LED的燈具售價“曲高和寡”。燈具城中LED燈帶的批發(fā)價要6元/米,一些商鋪還能開出8~10元/米;同樣長度的普通燈帶只有每米2.5元。12粒的LED燈杯售價是15元/個,其他鹵素型燈杯只有5元左右。
2009-10-26
LED
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