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電路保護(hù)

TBU? HSP：Bourns和Magnachip將量產(chǎn)TBU?高速電路保護(hù)組件

模擬和混訊半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造商美商柏恩公司 (“Bourns”),全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造商近日宣布MagnaChip將量產(chǎn)Bourns?的高速電路保護(hù)組件(TBU? HSP)。該組件乃設(shè)計(jì)可為廣泛工業(yè)、消費(fèi)者和電訊應(yīng)用的最佳選擇。

2012-04-05

TBU? HSP Bourns Magnachip

LCP12 IC：意法半導(dǎo)體引領(lǐng)市場率先推出先進(jìn)電信保護(hù)芯片

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）在移動寬帶通信設(shè)備保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，推出業(yè)界首款符合未來產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的保護(hù)芯片，在電信市場上樹立了更加嚴(yán)格的電涌防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。全新晶閘管陣列率先符合中國未來的用戶線路接口卡尖塞和鈴流端口保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。

2012-04-05

LCP12 IC 意法半導(dǎo)體電信保護(hù)芯片

LLP2510：Vishay推出新款4線總線端口保護(hù)陣列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護(hù)高速信號線免受瞬態(tài)電壓信號的損害。

2012-04-05

LLP2510 Vishay 總線端口保護(hù)陣列

針對斷路器失靈保護(hù)問題的分析

斷路器失靈保護(hù)是指故障電氣設(shè)備的繼電保護(hù)動作發(fā)出跳閘命令而斷路器拒動時(shí)，利用故障設(shè)備的保護(hù)動作信息與拒動斷路器的電流信息構(gòu)成對斷路器失靈的判別，能夠以較短的時(shí)限切除同一廠站內(nèi)其他有關(guān)的斷路器，使停電范圍限制在最小，從而保證整個電網(wǎng)的穩(wěn)定運(yùn)行，避免造成發(fā)電機(jī)、變壓器等故障元件的...

2012-04-01

斷路器失靈保護(hù) 繼電器

探討運(yùn)算放大器輸出相位反轉(zhuǎn)和輸入過壓保護(hù)

　超過輸入共模電壓（CM）范圍時(shí)，某些運(yùn)算放大器會發(fā)生輸出電壓相位反轉(zhuǎn)問題。其原因通常是運(yùn)算放大器的一個內(nèi)部級不再具有足夠的偏置電壓而關(guān)閉，導(dǎo)致輸出電壓擺動到相反電源軌，直到輸入重新回到共模范圍內(nèi)為止。圖1所示為電壓跟隨器的輸出相位反轉(zhuǎn)情況。注意，輸入可能仍然在電源電壓軌內(nèi)，只不...

2012-03-31

運(yùn)算放大器輸出相位輸入過壓保護(hù)

數(shù)字電容隔離器的磁場抗擾度

數(shù)字電容隔離器的應(yīng)用環(huán)境通常包括一些大型電動馬達(dá)、發(fā)電機(jī)以及其他產(chǎn)生強(qiáng)電磁場的設(shè)備。暴露在這些磁場中，可引起潛在的數(shù)據(jù)損壞問題，因?yàn)殡妱荩‥MF，即這些磁場形成的電壓）會干擾數(shù)據(jù)信號傳輸。由于存在這種潛在威脅，因此許多數(shù)字隔離器用戶都要求隔離器具備高磁場抗擾度 (MFI)。許多數(shù)字隔...

2012-03-30

數(shù)字電容隔離器磁場抗擾度

晶閘管整流器全關(guān)斷檢測電路的設(shè)計(jì)

本文提出并介紹了歐姆邏輯無環(huán)流檢測的一種方案——晶閘管整流器全關(guān)斷檢測,并與軟件檢測和電流互感器檢測進(jìn)行比較分析,最終得出晶閘管全關(guān)斷檢測方案準(zhǔn)確可行的結(jié)論。全關(guān)斷的輸出信號與上述兩種信號進(jìn)行綜合利用,從而準(zhǔn)確可靠地實(shí)現(xiàn)了歐姆的邏輯無環(huán)流控制。

2012-03-29

晶閘管整流器檢測電路直流傳感器

SESDX：TE電路保護(hù)部推出硅靜電放電保護(hù)器件

TE Connectivity旗下的一個業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。

2012-03-29

SESDX TE 電路保護(hù) 硅靜電放電

針對射頻設(shè)計(jì)熱問題的處理

熱量管理是所有電路設(shè)計(jì)人員都關(guān)心的一個問題，特別是針對大信號時(shí)。在射頻/微波電路中，大信號常見于功率放大器和系統(tǒng)發(fā)送端元件。不管是連續(xù)波（CW）信號還是脈沖信號，如果產(chǎn)生的熱量得不到有效疏導(dǎo)，它們都將導(dǎo)致印制電路板（PCB）上和系統(tǒng)中的熱量積聚。對電子設(shè)備來說，發(fā)熱意味著工作壽命的...

2012-03-28

射頻設(shè)計(jì) 熱問題

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