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電路保護(hù)

知識錦集：極點與零點的產(chǎn)生與影響

請問電路中極點與零點的產(chǎn)生與影響，電路中經(jīng)常要對零極點進(jìn)行補償，想問，零點是由于前饋產(chǎn)生的嗎？它產(chǎn)生后會對電路造成什么樣的影響？是說如果在該頻率下，信號通過這兩條之路后可以互相抵消還是什么？？極點又是怎么產(chǎn)生的呢？是由于反饋嗎？那極點對電路的影響又是什么？產(chǎn)生振蕩還是什么？？...

2014-09-24

極點零點電路

經(jīng)驗分享：淺談電感反向電動勢

很早以前做單片機時，知道馬達(dá)，繼電器一類電感線圈需要并聯(lián)一個反向續(xù)流二極管，防止電感產(chǎn)生的反向電動勢損壞線圈。近來突發(fā)思考，在考慮如何徹底地理解這個反向電動勢的產(chǎn)生及方向問題，期間查閱了相關(guān)資料，也有了新的一些理解，糾正了以前的誤解。在此一并寫出，作為總結(jié)。

2014-09-24

電感反向電動勢

如何精準(zhǔn)的設(shè)計晶振的匹配電容問題？

單片機晶振旁的2個電容是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標(biāo)稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。最好按照所提供的數(shù)據(jù)來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。

2014-09-23

晶振匹配電容

大師教你如何檢測IGBT好壞簡便方法

如何來檢測IGBT好壞簡便方法？這里大師來教你：將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。

2014-09-23

IGBT 檢測IGBT

知識對比：升降壓與Cuk斬波電路模塊比較分析

升降壓電路工作原理過程如下：當(dāng)可控開關(guān)V處于導(dǎo)通狀態(tài)時，電源E通過可控開關(guān)V向電感L供電并使能量存儲在電感中，此時流出電源E的電流為i1，方向如圖4所示。而電容C此時不僅要使輸出電壓保持恒定，而且要為負(fù)載R供電。

2014-09-23

電路模塊斬波升降壓

PCB設(shè)計必知：教你如何快速制作電路板

作為一名電路設(shè)計工程師，在產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)階段，您是否遇到過這樣的問題：隨著電子通訊頻率的提高，對PCB線路精度的要求越來越高，擇優(yōu)選取使得產(chǎn)品可靠性要求越來越高等，本文將為大家解決這些問題。

2014-09-23

PCB 電路板

技術(shù)大爆炸：電壓雙象限Buck-Boost電路拓?fù)? title=

技術(shù)大爆炸：電壓雙象限Buck-Boost電路拓?fù)?/span>

在傳統(tǒng)全橋電路中，單象限電路被廣泛應(yīng)用。本文中詳細(xì)介紹了一款新電路，使設(shè)計的電源能更廣泛應(yīng)用在各領(lǐng)域中。本文引出雙象限的概念，并詳細(xì)解析電壓雙象限Buck、Boost、Buck-Boost電路，對開關(guān)器件關(guān)斷和開通分析。

2014-09-23

雙象限 Boost

技術(shù)大爆炸：晶體一秒變晶振，成本直降60%

通常，我們會將“晶體”(Crystal)和“晶振”(Oscillator)都叫成“晶振”，這種叫法并不恰當(dāng)。無源晶體是有兩個引腳的無極性元件。正常工作時，需要借助外部電路產(chǎn)生振蕩信號，自身并不需要單獨外加電源。而有源晶振一般有四個引腳，其內(nèi)部集成石英晶體、晶體管、電阻電容等元件。晶振是一個完整的振蕩器，...

2014-09-23

晶體晶振

幾種可有效開關(guān)電源的電磁干擾抑制方法

許多大學(xué)及科研單位都進(jìn)行了開關(guān)電源EMI的研究，他們中有些從EMI產(chǎn)生的機理出發(fā)，有些從EMI 產(chǎn)生的影響出發(fā)，都提出了許多實用有價值的方案。這里分析與比較了幾種有效的方案，并為開關(guān)電源EMI 的抑制措施提出新的參考建議。

2014-09-23

開關(guān)電源電磁干擾

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