晶振的標(biāo)稱值在測試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件，在工作時(shí)滿足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來講，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體），高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型；一只腳接IC，一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒有原型號，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如：4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。 

 

常見的晶振大多是二只腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復(fù)合元件。由于在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個(gè)晶振（或其它諧振元件）和兩個(gè)電容組成回路，為便于簡化電路及工藝，人們便研制生產(chǎn)了這種復(fù)合件。其3個(gè)引腳中，中間的1個(gè)腳通常是2 個(gè)電容連接一起的公共端，另外2個(gè)引腳即為晶振兩端，也是兩個(gè)電容各自與晶振連接的兩端。由此可見，這種復(fù)合件可用一個(gè)同頻率晶振和兩個(gè) 100～200pF的瓷片電容按常規(guī)連接后直接予以代換。 

 

單片機(jī)晶振旁的2個(gè)電容是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標(biāo)稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。 

最好按照所提供的數(shù)據(jù)來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。 

 

在某些情況下，也可以通過調(diào)整這兩個(gè)電容的大小來微調(diào)振蕩頻率，當(dāng)然可調(diào)范圍一般在10ppm量級。 

 

晶振等效于電感/電容/內(nèi)阻