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半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)
在3nm節(jié)點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
2023-12-19
半大馬士革 空氣間隙結(jié)構(gòu)
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第十二屆中國（西部）電子信息博覽會邀請函
中國電子信息博覽會由工業(yè)和信息化部指導，每年4月在深圳召開，展示中國電子信息產(chǎn)業(yè)最新最全的創(chuàng)新成果，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展和走向全球，已發(fā)展成為亞洲第一、世界一流的電子信息行業(yè)盛會。中國(西部)電子信息博覽會立足于以成都為極核的成渝地區(qū)，致力于開拓西部地區(qū)廣闊的應用市場，提升產(chǎn)業(yè)國內(nèi)...
2023-12-19
航空/航天、雷達
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第103屆中國電子展邀請函
第103屆中國電子展將繼續(xù)以基礎(chǔ)電子元器件為技術(shù)牽引，服務于5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、照明與顯示安防、消費電子、智能制造、能源電子等應用行業(yè)，精準把握行業(yè)發(fā)展趨勢，圍繞產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域與平臺對話機會。同期云集全球超1500位演講嘉賓及專家學者參與CEF同期重點論壇活動。
2023-12-19
中國電子展
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集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強系統(tǒng)魯棒性
理想二極管使用低導通電阻功率開關(guān)（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向電流行為，但沒有二極管的壓降損失。借助額外的背靠背MOSFET和控制電路，該解決方案可以提供更多的系統(tǒng)控制功能，例如優(yōu)先源選擇、限流、浪涌限制等。在傳統(tǒng)解決方案中，這些功能分散在不同的控制器中，因此實現(xiàn)完整的系統(tǒng)保護...
2023-12-18
理想二極管 源選擇器 eFuse 魯棒性
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意法半導體：邊緣AI開發(fā)的挑戰(zhàn)及ST的解決方案
今天，人工智能（AI）被廣泛應用，幾乎無所不在，AI有助于汽車、工業(yè)、個人電子等產(chǎn)品設(shè)備實現(xiàn)數(shù)字化和智能化，改變我們的日常生活和工作方式。在很多應用領(lǐng)域，尤其是工業(yè)應用，AI 將是一個“攪局者”，將會改變現(xiàn)有的游戲規(guī)則。
2023-12-15
意法半導體 邊緣AI
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瑞薩推出基于云的開發(fā)環(huán)境以加速車用AI軟件的開發(fā)與評估
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子宣布推出一款基于云的全新開發(fā)環(huán)境，旨在簡化車用AI工程師的軟件設(shè)計流程。新平臺AI Workbench作為集成虛擬開發(fā)環(huán)境，可幫助車用AI工程師在云端實現(xiàn)車載軟件的設(shè)計、模擬和調(diào)試。
2023-12-15
瑞薩 開發(fā)環(huán)境 車用AI
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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關(guān)數(shù)百萬次。在開關(guān)過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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試一試能快速實現(xiàn)高性價比的電路保護的eFuse
隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及，對高速、緊湊、低成本、可復位和可調(diào)節(jié)電路保護器件的需求越來越重要，以確保用戶安全和最長的正常設(shè)備運行時間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準確、響應時間慢，而且通常保險絲更換不方便。
2023-12-14
電路保護 eFuse
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解決角雷達系統(tǒng)的 3 大電源設(shè)計挑戰(zhàn)
在過去十年內(nèi)，雷達傳感技術(shù)開始逐步替代傳統(tǒng)的汽車傳感方式。雷達傳感技術(shù)具有多項優(yōu)勢，例如可以進行遠距離檢測，具有更高的分辨率和精度。因此，雷達傳感技術(shù)被廣泛應用于駕駛安全功能、自動駕駛和高級駕駛輔助系統(tǒng)。
2023-12-13
角雷達系統(tǒng)
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