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詳細(xì)了解i.MX 8ULP應(yīng)用處理器
現(xiàn)代世界正逐漸采用更自然的人機(jī)界面（HMI）。我們不僅可以與智能音箱交談，還可以在紙張般的電子閱讀器上閱讀。電子產(chǎn)品已成為我們的數(shù)字伙伴，而不再是被電源插座限制的系統(tǒng)。
2023-12-20
i.MX 8ULP 應(yīng)用處理器
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ADI PH計應(yīng)用方案 實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效的水質(zhì)測量
PH計是一種常用的儀器設(shè)備，一般用于測量液體中的氫離子濃度，可得出酸性、中性還是堿性的數(shù)值。主要應(yīng)用在環(huán)保、污水處理、醫(yī)藥、化工等領(lǐng)域。但在PH測量過程中往往會出現(xiàn)誤差，那么要如何實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效的PH測量呢？技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Galen Zhang針對基于電極法原理的ADI PH ...
2023-12-20
ADI PH計應(yīng)用 水質(zhì)測量
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半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)
在3nm節(jié)點(diǎn)，最先進(jìn)的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
2023-12-19
半大馬士革 空氣間隙結(jié)構(gòu)
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第十二屆中國（西部）電子信息博覽會邀請函
中國電子信息博覽會由工業(yè)和信息化部指導(dǎo)，每年4月在深圳召開，展示中國電子信息產(chǎn)業(yè)最新最全的創(chuàng)新成果，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展和走向全球，已發(fā)展成為亞洲第一、世界一流的電子信息行業(yè)盛會。中國(西部)電子信息博覽會立足于以成都為極核的成渝地區(qū)，致力于開拓西部地區(qū)廣闊的應(yīng)用市場，提升產(chǎn)業(yè)國內(nèi)...
2023-12-19
航空/航天、雷達(dá)
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第103屆中國電子展邀請函
第103屆中國電子展將繼續(xù)以基礎(chǔ)電子元器件為技術(shù)牽引，服務(wù)于5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、照明與顯示安防、消費(fèi)電子、智能制造、能源電子等應(yīng)用行業(yè)，精準(zhǔn)把握行業(yè)發(fā)展趨勢，圍繞產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域與平臺對話機(jī)會。同期云集全球超1500位演講嘉賓及專家學(xué)者參與CEF同期重點(diǎn)論壇活動。
2023-12-19
中國電子展
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集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性
理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開關(guān)（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向電流行為，但沒有二極管的壓降損失。借助額外的背靠背MOSFET和控制電路，該解決方案可以提供更多的系統(tǒng)控制功能，例如優(yōu)先源選擇、限流、浪涌限制等。在傳統(tǒng)解決方案中，這些功能分散在不同的控制器中，因此實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)保護(hù)...
2023-12-18
理想二極管 源選擇器 eFuse 魯棒性
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意法半導(dǎo)體：邊緣AI開發(fā)的挑戰(zhàn)及ST的解決方案
今天，人工智能（AI）被廣泛應(yīng)用，幾乎無所不在，AI有助于汽車、工業(yè)、個人電子等產(chǎn)品設(shè)備實(shí)現(xiàn)數(shù)字化和智能化，改變我們的日常生活和工作方式。在很多應(yīng)用領(lǐng)域，尤其是工業(yè)應(yīng)用，AI 將是一個“攪局者”，將會改變現(xiàn)有的游戲規(guī)則。
2023-12-15
意法半導(dǎo)體 邊緣AI
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瑞薩推出基于云的開發(fā)環(huán)境以加速車用AI軟件的開發(fā)與評估
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子宣布推出一款基于云的全新開發(fā)環(huán)境，旨在簡化車用AI工程師的軟件設(shè)計流程。新平臺AI Workbench作為集成虛擬開發(fā)環(huán)境，可幫助車用AI工程師在云端實(shí)現(xiàn)車載軟件的設(shè)計、模擬和調(diào)試。
2023-12-15
瑞薩 開發(fā)環(huán)境 車用AI
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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關(guān)數(shù)百萬次。在開關(guān)過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導(dǎo)致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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