從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無(wú)延遲數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求

在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè)，2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷售額有望增長(zhǎng)61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代，如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM...

2024-11-08

富士通  RAMXEED  FeRAM  邊緣智能  數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

意法半導(dǎo)體生物感測(cè)創(chuàng)新技術(shù)賦能下一代智能穿戴個(gè)人醫(yī)療健身設(shè)備

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運(yùn)動(dòng)手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設(shè)備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的慣性傳...

2024-11-08

意法半導(dǎo)體  生物感測(cè)  穿戴設(shè)備  醫(yī)療健身設(shè)備

全差分放大器為精密數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈提供高壓低噪聲信號(hào)

全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出，其輸出共模由直流(DC)輸入電壓獨(dú)立控制，主要用在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換的前端，用于將信號(hào)調(diào)理為合適的電平以供下一級(jí)（通常是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)）使用。FDA一般采用單芯片設(shè)計(jì)，電源電壓較小，因此輸出動(dòng)態(tài)范圍有限。本文將介紹具有可調(diào)共模輸出的高壓低...

2024-11-05

全差分放大器  數(shù)據(jù)采集  信號(hào)鏈  低噪聲信號(hào)

利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的分立邏輯

開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機(jī)中的可配置邏輯模塊（CLB）外設(shè)實(shí)現(xiàn)硬件中復(fù)雜的分立邏輯功能，從而精簡(jiǎn)物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。

2024-11-05

單片機(jī)  分立邏輯

為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航

如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認(rèn)為它一定與消費(fèi)和計(jì)算設(shè)備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演變，并解釋消費(fèi)以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護(hù)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無(wú)...

2024-11-04

以太網(wǎng)  工業(yè)環(huán)境

第8講：SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)。

2024-11-04

SiC  外延生長(zhǎng)技術(shù)

二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明

二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當(dāng)你從室外推門(門是室內(nèi)開的)時(shí)，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時(shí)，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達(dá)到門電壓才能導(dǎo)通相似;當(dāng)你從室內(nèi)往外推門時(shí)，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會(huì)被推開，不過門被開的同時(shí)一般也就損壞...

2024-11-04

二極管  向?qū)щ娦?nbsp; 伏安特性

如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。

2024-11-04

GaNFET  DC－DC轉(zhuǎn)換器  降壓  升壓

匯聚智造大咖，共探智能工業(yè)未來(lái) AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點(diǎn)全揭秘！

倒計(jì)時(shí)兩天！備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大開幕！為期三天，六展聯(lián)袂，3,500+展商，140,000㎡面積，15萬(wàn)+觀眾，邀您一同解鎖這場(chǎng)華南地區(qū)汽車技術(shù)、工程及工業(yè)裝配行業(yè)盛宴！

2024-11-01