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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務(wù)選擇安捷倫測(cè)試設(shè)備
近日，北京――總部設(shè)在美國(guó)的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示，新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測(cè)試要求，包括嚴(yán)格的成本、質(zhì)量和出貨目標(biāo)。從而使SigmaTron公司能夠擴(kuò)展業(yè)務(wù)范圍，應(yīng)對(duì)不確定全球經(jīng)濟(jì)的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導(dǎo)體 安捷倫 測(cè)試設(shè)備
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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務(wù)選擇安捷倫測(cè)試設(shè)備
近日，北京――總部設(shè)在美國(guó)的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示，新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測(cè)試要求，包括嚴(yán)格的成本、質(zhì)量和出貨目標(biāo)。從而使SigmaTron公司能夠擴(kuò)展業(yè)務(wù)范圍，應(yīng)對(duì)不確定全球經(jīng)濟(jì)的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導(dǎo)體 安捷倫 測(cè)試設(shè)備
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2657A：吉時(shí)利發(fā)布為測(cè)試優(yōu)化的高電壓數(shù)字源表
近日，先進(jìn)電氣測(cè)試儀器與系統(tǒng)的世界級(jí)領(lǐng)導(dǎo)者吉時(shí)利儀器公司今日發(fā)布2657A高功率數(shù)字源表。2657A為吉時(shí)利2600A系列高速、精密源測(cè)量單元數(shù)字源表系列產(chǎn)品增加了高電壓功能。此系列儀器能幫助吉時(shí)利客戶分析范圍更寬的功率半導(dǎo)體器件和材料。
2012-03-29
高功率 半導(dǎo)體 吉時(shí)利 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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2012年LED產(chǎn)業(yè)不確定因素令市場(chǎng)發(fā)展微妙
由于受到近些年來(lái)全球經(jīng)濟(jì)整體的不景氣，歐洲普遍爆發(fā)的債務(wù)危機(jī)，以及多晶硅價(jià)格持續(xù)下跌，只是LED產(chǎn)業(yè)遭遇重重困境，雖然中國(guó)市場(chǎng)與國(guó)際市場(chǎng)尚未完全接軌，但是中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)也遭遇了寒冬，整體表現(xiàn)差強(qiáng)人意。
2012-03-29
旗艦店 燈飾 燈飾品牌 LED
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TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)尚未完全打開
目前中國(guó)TD-LTE終端芯片還處于起步階段，整體市場(chǎng)行情還未完全打開，未來(lái)還有許多潛力可以去發(fā)掘。國(guó)內(nèi)外芯片廠商市場(chǎng)參與熱情有限，但鑒于中國(guó)龐大的潛在市場(chǎng)，眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場(chǎng)，加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù)，擇機(jī)進(jìn)入終端芯片市場(chǎng)。
2012-03-29
TD-LTE 終端產(chǎn)品 產(chǎn)業(yè)鏈 產(chǎn)品
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三大運(yùn)營(yíng)商“聚焦”移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)展各有側(cè)重
中國(guó)移動(dòng)近幾年運(yùn)營(yíng)成本持續(xù)增長(zhǎng)，2011年運(yùn)營(yíng)成本3767億元，增長(zhǎng)12.6%。其中折舊和銷售費(fèi)用占比超過(guò)50%；中國(guó)電信運(yùn)營(yíng)成本增長(zhǎng)較快，2011年運(yùn)營(yíng)成本2209.12億元，同比增長(zhǎng)12.5%，主要是銷售、一般及管理費(fèi)用的增長(zhǎng)較快，其中移動(dòng)終端銷售成本增長(zhǎng)159.2%、移動(dòng)手機(jī)補(bǔ)貼增長(zhǎng)29.1%；中國(guó)聯(lián)通運(yùn)營(yíng)成本增...
2012-03-29
移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng) 三網(wǎng)融合
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慣性感測(cè)器“左右逢源”增長(zhǎng)率將達(dá)18.6%
隨著消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)智慧型手機(jī)產(chǎn)品需求大幅提升，慣性感測(cè)器出貨量在2011~2016年的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)18.6%，但產(chǎn)品價(jià)格卻會(huì)持續(xù)下降，因此同期間的市場(chǎng)產(chǎn)值CAGR將達(dá)16.6%，約28億美元。愈來(lái)愈多業(yè)者開始朝整合矽感測(cè)器的功能發(fā)展，市場(chǎng)生態(tài)逐步改變。
2012-03-29
慣性 感測(cè)器 加速度計(jì)
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對(duì)待，在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇要點(diǎn)
同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會(huì)在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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