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貿(mào)澤電子2020年3月新品推薦
4月2日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自800多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤只為客戶提供通過全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2020-04-02
貿(mào)澤電子 新品推薦
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第3部分—連續(xù)電流額定值
今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)的方法測(cè)量出來的，而是被計(jì)算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。
2020-04-02
MOSFET 數(shù)據(jù)表 連續(xù)電流 額定值
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帶可調(diào)輸出共模的多功能、精密單端轉(zhuǎn)差分電路提升系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍
差分信號(hào)適合于需要大信噪比、高抗擾度和較低二次諧波失真的電路，例如高性能ADC驅(qū)動(dòng)和高保真度音頻信號(hào)處理等應(yīng)用?！赌M對(duì)話》曾刊載過一篇相關(guān)文章——"多功能、低功耗、精密單端差分轉(zhuǎn)換器"1，其中介紹了一種有很大改進(jìn)的單端轉(zhuǎn)差分電路，它具有很高輸入阻抗，最大輸入偏置電流為2 nA，最大失調(diào) ...
2020-04-02
共模 差分電路 信噪比
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖
作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值之外，我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶，這是因?yàn)槊總€(gè)供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線的方法，并且在提供有用信息方面，這個(gè)曲線所具有的價(jià)值與閱讀數(shù)...
2020-04-02
MOSFET 數(shù)據(jù)表 SOA圖
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使用3端子貫通濾波器的電源線輻射噪音對(duì)策
隨著電子設(shè)備的高速化及高頻化發(fā)展，用于噪音濾波器或去耦的電容器或3端子貫通濾波器被要求更低的ESL(等效串聯(lián)電感)特性。同時(shí)，在汽車電子系統(tǒng)中，為了提高安全、舒適性，并且應(yīng)對(duì)信息娛樂化，低ESL型產(chǎn)品的需求不斷提高。此處將以系列為單位，介紹TDK先進(jìn)低ESL元件的各類車載電子設(shè)備解決方案。
2020-04-02
濾波器 電源線 輻射 對(duì)策
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多功能低功耗精密單端轉(zhuǎn)差分轉(zhuǎn)換器
很多應(yīng)用都需要差分信號(hào)，包括驅(qū)動(dòng)現(xiàn)代模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、通過雙絞線電纜傳輸信號(hào)、調(diào)理高保真音頻信號(hào)。由于差分信號(hào)在一組特定電源電壓下使用較大信號(hào)，提高了對(duì)共模噪聲的抑制能力，降低了二次諧波失真，因而實(shí)現(xiàn)了更高的信噪比。由于這一需求，我們需要可將大多數(shù)信號(hào)鏈中的單端信號(hào)轉(zhuǎn)換為差分信...
2020-04-01
低功耗 差分轉(zhuǎn)換器
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使用追蹤電源來提高信號(hào)鏈性能
本文闡述了直流偏置電源對(duì)敏感模擬應(yīng)用中所使用運(yùn)算放大器 (op amp) 產(chǎn)生的影響，此外還涉及了電源排序及直流電源對(duì)輸入失調(diào)電壓的影響。另外，本文還介紹了一種通過線性穩(wěn)壓器（一般不具有追蹤能力）輕松實(shí)施追蹤分離電源的方法，以幫助最小化直流偏置電源帶來的一些不利影響。
2020-04-01
追蹤電源 信號(hào)鏈 性能
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線），而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處（比如說：開關(guān)時(shí)間）。在這個(gè)即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這...
2020-04-01
MOSFET 數(shù)據(jù)表 UIS/雪崩
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何時(shí)使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2020-04-01
負(fù)載開關(guān) MOSFET
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