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AI&IoT

功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對(duì)功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計(jì)算，得出散熱方式的設(shè)計(jì)和散熱器的選擇。

2008-10-24

熱設(shè)計(jì) 功率器件散熱計(jì)算

軟性印刷電路板將走向良性發(fā)展

軟性印刷電路板 (FPC)產(chǎn)業(yè)2005、2006年大幅擴(kuò)產(chǎn)，導(dǎo)致削價(jià)競爭嚴(yán)重，經(jīng)過近兩年的調(diào)整加上受上半年整體景氣衰退影響，中國大陸不少小型軟板廠陸續(xù)倒閉，歐美及日系廠商降低軟板比重，整體產(chǎn)業(yè)供給進(jìn)入穩(wěn)定狀況。

2008-10-23

軟性印刷電路板 FPC

PPTC保護(hù)器件及其應(yīng)用

本文主要介紹PPTC保護(hù)器件，首先介紹了它的基本原理，然后著重介紹了它在無線電子產(chǎn)品、電池組、充電器、電源轉(zhuǎn)換器及變壓器中的應(yīng)用。

2008-10-23

PPTC保護(hù)器件應(yīng)用

接地電阻測(cè)試儀簡介

本文介紹了接地電阻測(cè)試儀，接地電阻測(cè)試與發(fā)展。

2008-10-23

接地電阻測(cè)試儀鉗式測(cè)試工具

在便攜應(yīng)用中采用TVS二極管進(jìn)行ESD保護(hù)

本文介紹了手機(jī)中的ESD保護(hù)部分，ESD在設(shè)計(jì)中的選擇，TVS二極管的優(yōu)勢(shì)、工作原理和基本參數(shù)選擇，TVS二極管在超高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)中的應(yīng)用，PCB設(shè)計(jì)時(shí)的考慮。

2008-10-23

ESD TVS二極管 PCB設(shè)計(jì)

江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹正式投產(chǎn)

10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)

本文主要介紹了一種研究電流和時(shí)域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時(shí)域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測(cè)試工具 TLP

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

過壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門

過壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...

2008-10-23

過壓保護(hù) 電路 MOSFET

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