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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號 (LVDS) 振蕩器，擴充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達 ±25ppm，擁有業(yè)界標準封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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2010十大科技猜想：超級電容車將面世
美國某雜志網(wǎng)站近日對2010年的科技發(fā)展趨勢進行了分析，并預測2010年或將取得重大研究進展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機器人、“超級電容”動力汽車，和直接碳燃料技術等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級電容車 機器人
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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關公司擴張產(chǎn)能
電子元器件類上市公司近期的擴張產(chǎn)能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進行產(chǎn)能擴張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術改造項目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴張 半導體
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時鐘驅動能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準確的測量內(nèi)存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時鐘分析
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AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應用優(yōu)化的高電流電源開關
Diodes針對高電流應用推出兩款新器件以擴展旗下AP21XX電源開關產(chǎn)品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達2A的連續(xù)輸出電流，且經(jīng)過優(yōu)化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應用。
2009-12-18
AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開關
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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