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松下電工推出采用自主三維測(cè)距方式的距離圖像傳感器
松下電工開發(fā)出了采用自主三維測(cè)距方式的距離圖像傳感器“3D Image Sensor‘D-IMager’”，將于2010年6月1日上市。距離圖像傳感器是一種可以實(shí)時(shí)獲得空間深度信息的傳感器。該公司開發(fā)出了采用近紅外線發(fā)光二極管（LED）的自主方式作為其測(cè)距方式，并已應(yīng)用到該傳感器中。據(jù)介紹，除了數(shù)字標(biāo)牌（電子...
2010-06-01
松下 測(cè)距方式 圖像傳感器
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LG顯示器開發(fā)出4K×2K的84英寸3D液晶面板
韓國LG顯示器開發(fā)出了可顯示三維（3D）影像的84英寸液晶面板，并在“SID 2010”展會(huì)上進(jìn)行了展出。展會(huì)使用的面板像素為“4K×2K”（3840×2160）。設(shè)想用于家庭影院。
2010-06-01
LG 顯示器 3D 液晶面板
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半導(dǎo)體：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來戰(zhàn)略機(jī)遇期
半導(dǎo)體行業(yè)在危機(jī)中進(jìn)行變革：2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模2197億美元，同比衰退13.9%，是半導(dǎo)體歷史上的第二大衰退。與2001年相比，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)此次衰退的反應(yīng)速度要快很多。我們認(rèn)為最根本的原因是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由重資產(chǎn)、重規(guī)模的發(fā)展模式逐步向輕資產(chǎn)、重市場(chǎng)的輕晶圓模式轉(zhuǎn)變，產(chǎn)業(yè)對(duì)市場(chǎng)的反應(yīng)速度...
2010-06-01
IC設(shè)計(jì) 晶圓 半導(dǎo)體
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2010年中國數(shù)字機(jī)頂盒銷量將達(dá)3950萬臺(tái)
幾年來中國機(jī)頂盒市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)，與中國液晶電視市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)也有很大關(guān)系。雖然面臨全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)， 2009年中國液晶電視市場(chǎng)達(dá)到2800萬臺(tái)，比2008年的1300萬臺(tái)大增115%，預(yù)計(jì)今年將達(dá)到3950萬臺(tái)。
2010-06-01
數(shù)字 機(jī)頂盒 數(shù)字電視
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無源元件(IPD)工藝
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無源元件(IPD)工藝
- 成本與性能的平衡：振蕩線圈技術(shù)深度解析與選型建議
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