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業(yè)績預告披露加速 電子信息產業(yè)搶眼
進入7月份以來，上市公司披露上半年業(yè)績預告的公司明顯增多。7月1日至7月5日就有31家公司披露上半年經營情況，相比之下5月份只有4家公司，6月份有41家公司，其余631家公司的上半年業(yè)績預告均在4月30日之前披露。
2010-07-08
電子信息 器件 電子材料 電子元件
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液晶電視需求優(yōu)TAC薄膜新廠已正式竣工進行投產
該座第7工廠位于神戶市，總投資額約180億日圓，除可生產寬度大于2米的TAC薄膜之外，亦將生產可增廣視角的VA-TAC膜(視角擴張膜)，總年產量約為5,000萬平方公尺；合并Konica Minolta原有的6座工廠產能(約2.2億平方公尺)計算，則Konica Minolta TAC薄膜年產能將達2.7億平方公尺。
2010-07-08
液晶電視 TAC薄膜 VA-TAC膜
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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術的中壓功率MOSFET
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現基準性能，適用于網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源（SMPS）及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
2010-07-08
IR PQFN封裝 銅夾技術 MOSFET
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VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險絲
TFU 0603薄膜扁平片狀保險絲采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達4A的電流以及35A的斷流容量。該保險絲為移動消費電子產品中的dc/dc轉換器，電池充電器和低壓電源提供二級過流保護，器件符合關于有害物質的法律條令的CEFIC-EECA-EICTA清單。器件數量超過500萬的價格為...
2010-07-08
VISHAY 薄膜平坦片狀 保險絲
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多晶硅價格重拾升勢 生產商擔憂成本壓力增加
日前，我國部分省市取消針對多晶硅項目的優(yōu)惠電價，導致多晶硅生產成本提升，加上全球光伏產品需求超預期，國內多晶硅尤其是高純多晶硅的供應又呈現供不應求的苗頭。對此，不少晶硅電池生產商擔憂多晶硅價格的提升會帶來成本壓力的增加。
2010-07-08
多晶硅 高耗能 光伏
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2010年純晶圓代工產業(yè)的營業(yè)收入預計增長
由于消費產品需求回升，iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營業(yè)收入增長率預測上調了2.8個百分點。
2010-07-08
純晶圓代工 營業(yè)收入 增長 iSuppli
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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恩智浦新增高性能射頻產品技術中心落戶上海及波士頓近郊
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市（近波士頓）開設兩家恩智浦高性能射頻(RF)產品技術中心。
2010-07-07
恩智浦 高性能射頻 上海 波士頓近郊
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