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變頻器控制回路的抗干擾措施
變頻器的控制回路極易遭受干擾源的干擾，所以在安裝使用變頻器的時(shí)候必須對(duì)控制回路采取抗干擾措施。產(chǎn)生變頻器干擾的種類有很多種，要根據(jù)不同的情況采取相應(yīng)的措施來(lái)進(jìn)行減小干擾。
2008-11-02
干擾 變頻器 控制回路 抗干擾措施
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變頻器OC故障的來(lái)源和實(shí)質(zhì)
在變頻器故障檢測(cè)中出現(xiàn)頻率最高的當(dāng)屬OC故障。引發(fā)OC故障信號(hào)的原因有很多，分清楚OC故障預(yù)警的故障來(lái)源，有助于及時(shí)地進(jìn)行故障排查和解決。
2008-11-02
OC 故障 變頻器 來(lái)源 實(shí)質(zhì)
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變頻調(diào)速技術(shù)應(yīng)用中應(yīng)注意的問(wèn)題
變頻調(diào)速器具有調(diào)速范圍寬、傳動(dòng)效率高、節(jié)電顯著等優(yōu)點(diǎn)，是一種成熟的技術(shù)設(shè)備，是水泥廠節(jié)能改造的理想設(shè)備，具有很高的推廣價(jià)值。仔細(xì)了解變頻調(diào)速技術(shù)的重要作用，根據(jù)不同的應(yīng)用環(huán)境合理選取變頻器的使用，可以有助于企業(yè)取得顯著的經(jīng)濟(jì)收益。
2008-11-02
變頻器 分類 安裝 參數(shù)設(shè)置 調(diào)試
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PhotoMOS繼電器的典型控制電路
機(jī)械式繼電器的缺陷是靈敏度差、存在動(dòng)作噪聲以及開(kāi)關(guān)次數(shù)多影響壽命等問(wèn)題。本文主要介紹了PhotoMOS繼電器控制電路的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和典型電路，以及確?？煽渴褂玫淖⒁馐马?xiàng)。
2008-11-02
PhotoMOS 繼電器 FET 光電元件
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直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
本文對(duì)幾種不同的柵極驅(qū)動(dòng)電路并進(jìn)行比較分析，同時(shí)也介紹了PWM調(diào)速算法及其實(shí)現(xiàn)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)方案。在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中，要根據(jù)實(shí)際情況考慮若干因素來(lái)進(jìn)行仔細(xì)選擇。
2008-11-02
柵極驅(qū)動(dòng) PWM調(diào)速 循環(huán)位移
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面向汽車(chē)應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
由于汽車(chē)環(huán)境的復(fù)雜多變，應(yīng)用于EV和HEV的IGBT要經(jīng)受得住更多的考驗(yàn)。在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊等多種試驗(yàn)中，IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)一些典型的故障模式。廠家針對(duì)這種問(wèn)題研發(fā)出了具有優(yōu)化性能和成本的功率半導(dǎo)體模塊。
2008-11-02
IGBT 故障模式 HybridPACK PrimePACK
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一種新型的IGBT短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
本文提出了一種直接檢測(cè)IGBT發(fā)生短路故障的方法，在詳細(xì)分析IGBT短路檢測(cè)原理的基礎(chǔ)上給出了相應(yīng)的IGBT短路保護(hù)電路。仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果均證明該電路工作穩(wěn)定可靠,能很好地對(duì)IGBT實(shí)施有效的保護(hù)。
2008-11-02
IGBT 短路保護(hù) Uce PWM H型橋式
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一種新型實(shí)用的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
在分析了IGBT 驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見(jiàn)的 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，并給出各自的優(yōu)缺點(diǎn)。介紹自行設(shè)計(jì)的一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型IGBT 驅(qū)動(dòng)電路。經(jīng)實(shí)踐表明，該電路經(jīng)濟(jì)、實(shí)用、安全、可靠，同時(shí)具有IGBT 過(guò)電流保護(hù)功能，具有很好的應(yīng)用前景。
2008-11-02
IGBT 驅(qū)動(dòng) 過(guò)電流保護(hù)
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)
柵極電阻會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，但同時(shí)也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來(lái)的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流
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